拓扑绝缘体 Ta$_2$Ni$_3$Te$_5$ 中的弱反局化与自旋动量锁定
强关联电子
2024-06-13 v1
摘要
我们报告了 TaNiTe 这种层状半导体材料的合成、结构表征以及电导、磁性和比热性质的研究。TaNiTe 结晶于中心对称的正交晶体结构中，空间群为 Pnma。温度依赖电阻显示在 7 K 以下出现从半导体向金属性质的转变。低温磁导电研究表明具有大磁电阻和弱反局化 (WAL) 效应的特征。磁导电数据用于探讨 WAL 效应的起源、提取相关参数并研究其随温度的变化。从 MR 与 B/R 曲线（Kohler 图）中可以看出显著的电子-声子相互作用。等温磁场依赖磁化研究表明存在 Berry 参数，表明自旋轨道耦合导致自旋动量锁定。WAL 效应和自旋动量锁定现象的观察表明，TaNiTe 是一种具有前景的低维材料，适用于基于量子自旋 HALL 绝缘体的应用。
引用
@article{arxiv.2406.07864,
title = {Weak anti-localization and spin-momentum locking in topological insulator Ta$_2$Ni$_3$Te$_5$},
author = {Prabuddha Kant Mishra and Soumen Ash and Ashok Kumar Ganguli},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.07864},
year = {2024}
}
备注
10 pages