半金属 Ta$_{0.7}$Nb$_{0.3}$Sb$_2$ 单晶中涌现的弱反局域化效应

弱反局域化（WAL）效应常见于二维系统，或三维拓扑绝缘体、拓扑半金属系统中。本文报道了在高品质 Ta$_{0.7}$Nb$_{0.3}$Sb$_2$ 单晶中、50$^\circ$K 以下区域清晰的 WAL 效应迹象。采用化学气相输运法生长单晶样品，其高结晶质量与均匀元素分布经 X 射线衍射与电子显微技术验证。借助霍尔效应与两带模型拟合，获得了高载流子迁移率（2 至 300$^\circ$K 区域内 > 1000 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$）及非补偿电子/空穴比。由于 WAL 效应的不同角依赖性与 Ta$_{0.7}$Nb$_{0.3}$Sb$_2$ 单晶的费米学，在角磁电阻中观察到有趣的磁场诱导对称性改变。这些有趣的输运性质将引发对 Ta$_{0.7}$Nb$_{0.3}$Sb$_2$ 及相关半金属材料的更多理论与应用探索。