Bi$_2$Te$_3$薄膜中的线性磁阻与弱反局域化效应
介观与纳米尺度物理
2015-12-31 v2
摘要
在硫族化合物拓扑绝缘体材料中，广泛讨论了两种类型的磁阻 (MR) 效应：一种是与弱反局域化 (WAL) 效应相关的零磁场附近的正 MR 凹陷，另一种是通常持续到高磁场和高温的线性 MR 效应。我们研究了从金属到半导体输运区域的拓扑绝缘体 Bi2Te3 薄膜的 MR。虽然在金属样品中，由于 WAL 相对于样品电导率较小而难以识别，但在电阻率较高的样品中，MR 中的尖锐 WAL 凹陷清晰可见。为了根据 Hikami-Larkin-Nagaoka (HLN) 模型的 WAL 定量理论正确解释低场 MR，我们发现应将经典（线性）MR 效应与 WAL 量子修正分离开来。否则，仅进行 WAL 拟合会在 HLN 分析中得出不切实际的大系数 。
引用
@article{arxiv.1501.06500,
title = {Linear magneto-resistance versus weak antilocalization effects in Bi$_2$Te$_3$ films},
author = {Z. H. Wang and L. Yang and X. T. Zhao and Z. D. Zhang and Xuan P. A. Gao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06500},
year = {2015}
}