拓扑绝缘体与具有大垂直各向异性的磁性绝缘体之间的邻近效应

我们报道，原型拓扑绝缘体Bi$_{2}$Se$_{3}$的薄膜可以外延生长到BaFe$_{12}$O$_{19}$(BaM)的(0001)表面上，BaM是一种具有高居里温度和大多垂直各向异性的磁性绝缘体。在生长于非磁性衬底上的Bi$_2$Se$_3$薄膜中，经典的弱反局域化（WAL）表现为垂直磁场中的尖峰形正磁电阻（MR）和平行磁场中的抛物线形正磁电阻，而在Bi$_{2}$Se$_{3}$/BaM异质结构中，低场MR呈抛物线形，在垂直场中为正，在平行场中为负。MR的磁场和温度依赖性被解释为由于Bi$_{2}$Se$_{3}$/BaM界面处强磁相互作用导致WAL受抑制的结果。