硒化铋中化学势和弱反局域化的栅压控制
介观与纳米尺度物理
2010-10-22 v2 材料科学
摘要
我们报道了 BiSe 薄膜可以在 SrTiO 衬底上外延生长，这使得通过背栅可以实现非常大的载流子密度可调性。观测到的由弱反局域化 (WAL) 引起的低场磁导率具有非常弱的栅压依赖性，除非电子密度降低到非常低的值。WAL 中的这种转变与纵向和霍尔电阻率的异常变化相关。我们的结果表明，在大的负栅压下体电导率被显著抑制，并且表面态可能在 WAL 现象中发挥作用。这项工作可能为在环境条件下实现三维拓扑绝缘体铺平道路。
引用
@article{arxiv.1003.1534,
title = {Gate-Voltage Control of Chemical Potential and Weak Anti-localization in Bismuth Selenide},
author = {J. Chen and H. J. Qin and F. Yang and J. Liu and T. Guan and F. M. Qu and G. H. Zhang and J. R. Shi and X. C. Xie and C. L. Yang and K. H. Wu and Y. Q. Li and L. Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1534},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 4 figures.