铋碲硫化物拓扑绝缘体中的弱反局域化与普适电导涨落
介观与纳米尺度物理
2016-02-04 v1 材料科学
摘要
我们报道了铋碲硫化物（BTS）晶体纳米片的范德瓦耳斯外延生长、材料表征和磁输运实验。在 SiO 和白云母上获得了高度层状、高质量的 BTS 晶体纳米片。在 BTS 器件的磁输运实验中观察到了弱反局域化（WAL）、电子-电子相互作用驱动的绝缘基态和普适电导涨落。输运数据的温度、厚度和磁场依赖性表明存在二维表面态以及体导电，与理论模型一致。提出了一种扩展 WAL 模型，并与双通道导电模型结合使用来分析数据，揭示了表面分量和多导电通道的证据。我们提出了一种简便的生长方法以及详细的磁输运结果，表明 BTS 是一种替代的拓扑绝缘体材料体系。
引用
@article{arxiv.1601.05789,
title = {Weak Antilocalization and Universal Conductance Fluctuations in Bismuth Telluro-Sulfide Topological Insulators},
author = {Tanuj Trivedi and Sushant Sonde and Hema C. P. Movva and Sanjay K. Banerjee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05789},
year = {2016}
}
备注
To be published in Journal of Applied Physics