Pb1-xSnxSe 拓扑量子阱中超越完全扩散区的弱反局域化
介观与纳米尺度物理
2020-11-26 v1 材料科学
摘要
我们报道了 Pb1-xSnxSe 拓扑量子阱中弱反局域化（WAL）的测量与分析，该新 regime 下弹性散射长度大于磁长度。我们通过高质量外延生长与拓扑晶体绝缘体（TCI）量子阱掺杂实现了此 regime。我们得到超过 100nm 且可与磁长度相比拟的弹性散射长度。在此输运 regime 下，Hikami-Larkin-Nagaoka 模型不再适用。我们采用 Wittmann 与 Schmid 模型从磁电阻中提取相干时间。我们发现，尽管输运特性有所改善，相干时间仍可能受非强载流子依赖的散射通道限制，如电子-声子或缺陷散射。
引用
@article{arxiv.2010.02294,
title = {Weak antilocalization beyond the fully diffusive regime in Pb1-xSnxSe topological quantum wells},
author = {Jiashu Wang and X. Liu and C. Bunker and L. Riney and B. Qing and S. K. Bac and M. Zhukovskyi and T. Orlova and S. Rouvimov and M. Dobrowolska and J. K. Furdyna and B. A. Assaf},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.02294},
year = {2020}
}
备注
Accepted PRB