双量子阱导电性弱局域化修正
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
对隧道耦合的双层电子体系导电性的弱局域化贡献 \delta\sigma(B) 进行了评估，并考察了其在垂直或平行于层面的弱磁场 B 下的行为。在垂直磁场 B 下，\delta \sigma(B) 随场强增加且只要磁场小于 \hbar/e D \tau_t（其中 D 为平面扩散系数，\tau_t 为隧穿时间），其仍依赖于隧穿。若 \tau_t 小于无能散射时间，则在平行磁场下，导电性也会出现显著增大，起始遵循 B**2 定律，并在场强超过 \hbar/e Z (D \tau_t)**(1/2)（其中 Z 为层间距离）时饱和。若 \tau_t 接近弹性散射时间，即在相干隧穿极限下，\delta \sigma(B) 因扩散系数的修改而不同于单层体系。讨论了通过门控电压调节能级分裂来探测双层体系中弱局域化效应的可能性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9912169,
title = {Weak-localization corrections to the conductivity of double quantum wells},
author = {O. E. Raichev and P. Vasilopoulos},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9912169},
year = {2009}
}
备注
Text 18 pages in Latex/Revtex format, 4 Postscript figures. J. Phys.: CM,in press