无序 InAs/GaSb 双量子阱中相互作用诱导的弱反局域化与弱局域化之间的交叉
介观与纳米尺度物理
2020-04-15 v1
摘要
我们展示了弱局域化 regime 下 InAs/GaSb 双量子阱结构中的磁输运研究。当使用顶栅电极耗尽载流子时，我们观察到从弱反局域化（WAL）到弱局域化（WL）的交叉，其原因是较低载流子浓度下电子-电子相互作用增强，导致非弹性相位破坏时间降至自旋轨道特征时间以下。随着温度升高也观察到相同的交叉。非弹性散射率的线性温度行为表明，我们二维系统中的主导相位破坏机制源于电子-电子相互作用。
引用
@article{arxiv.1911.11895,
title = {Interaction-induced crossover between weak anti-localization and weak localization in a disordered InAs/GaSb double quantum well},
author = {Vahid Sazgari and Gerard Sullivan and Ismet I. Kaya},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.11895},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 3 figures + Supplementary material (3 pages, 3 figures)