GaAs/GaAlAs量子阱中由带电磁受主A$^{2-}$局域化的传导电子
量子气体
2015-04-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
提出了一种关于A^{1-}和A^{2-}中心的变分理论，即在平行于生长方向的磁场中，GaAs/GaAlAs量子阱内分别局域化一个和两个传导电子的负受主离子。量子阱和磁场的联合效应将传导电子限制在离子附近，导致在相应朗道能级之上出现离散的排斥能。该理论受我们的实验磁输运结果启发，这些结果表明，在GaAs阱中用Be受主掺杂的异质结构中，观察到一种沸腾效应，其中在交叉场构型中的传导电子被霍尔电场从离域朗道态推到局域化受主态并停止导电。对输运数据的详细分析显示，在高磁场下，样品中几乎不存在传导电子。结论是，一个负受主离子可局域化多达四个传导电子。
引用
@article{arxiv.1504.02352,
title = {Conduction electrons localized by charged magneto-acceptors A$^{2-}$ in GaAs/GaAlAs quantum wells},
author = {M. Kubisa and K. Ryczko and I. Bisotto and C. Chaubet and A. Raymond and W. Zawadzki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.02352},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 5 figures