受主掺杂GaAs/GaAlAs异质结构中的传导电子：一篇综述
材料科学
2016-05-04 v1
摘要
我们回顾了在GaAlAs势垒中掺杂施主（在GaAs量子阱中提供二维电子气）并在二维电子气附近额外掺杂少量受主（主要为Be原子）的GaAs/GaAlAs异质结构中的磁光与磁输运效应。也可能涉及残余受主（主要为C原子）。此类系统在磁场中的行为与在二维电子气附近掺杂施主的系统有明显差异。
引用
@article{arxiv.1604.07082,
title = {Conduction electrons in acceptor-doped GaAs/GaAlAs heterostructures: a review},
author = {Wlodek Zawadzki and Andre Raymond and Maciej Kubisa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.07082},
year = {2016}
}
备注
review article, 38 pages, 30 figures