具有弱和强阱间耦合的 GaAs/AlGaAs 超晶格中的电子磁输运
介观与纳米尺度物理
2011-05-05 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报告了在两个由 MBE 生长的 GaAs/AlGaAs 超晶格中进行的磁输运测量，这些超晶格由宽和窄量子阱以及薄的 Si 掺杂势垒构成，并置于倾斜磁场中。研究表明，对具有窄阱的强耦合超晶格进行光照会导致其维度从 3D 降低到 2D。与光照前测量的结果相比，光照诱导的跃迁通过磁电阻曲线的显著变化得以揭示。实验数据结合紧束缚模型计算表明，光照不仅提高了电子浓度，还抑制了电子穿过势垒的隧穿。
引用
@article{arxiv.0707.3692,
title = {Electron magnetotransport in GaAs/AlGaAs superlattices with weak and strong inter-well coupling},
author = {L. Smrcka and N. A. Goncharuk and P. Svoboda and P. Vasek and Yu. Krupko and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.3692},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 3 figures, elsart/PHYEAUTH macros; presented on the LDSD 2007 Conference in the Caribbean Archipelago San Andres, Colombia. To be published as a special issue of Microelectronics Journal (Elsevier)