三维超晶格中光照引起的费米面拓扑变化
介观与纳米尺度物理
2007-07-25 v1
摘要
在倾斜磁场中，测量了 MBE 生长的具有 Si 掺杂势垒的 GaAs/AlGaAs 超晶格在生长态以及低温（T 约为 0.3 K）下经红光二极管短暂光照后的磁阻。观察到了显著的由光照引起的磁阻曲线改变，这表明超晶格费米面拓扑发生了重大变化。基于紧束缚模型对磁阻数据的分析揭示，光照不仅增加了电子浓度与迁移率，还降低了相邻量子阱中二维电子层之间的耦合。
引用
@article{arxiv.0705.4615,
title = {Illumination-induced changes of the Fermi surface topology in three-dimensional superlattices},
author = {N. A. Goncharuk and L. Smrcka and P. Svoboda and P. Vasek and J. Kucera and Yu. Krupko and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.4615},
year = {2007}
}
备注
7 pages, 6 figures, accepted for publication in Phys. Rev. B