BiTeI 中费米面拓扑变化的输运特征
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
我们报道了 Rashba 半导体 BiTeI 中费米面拓扑变化的量子磁输运特征，通过对费米能级 的系统调节。超越量子极限后，当 高于/低于狄拉克节点时，我们观察到电阻率的显著增大/减小，并证明这源于费米面拓扑。该效应代表了对低指数 () 朗道能级上电子分布的测量，并且独特地由体系沿 c 轴的有限体 色散和强 Rashba 自旋轨道耦合强度所实现。狄拉克节点通过 Shubnikov-de Haas 振荡独立识别为 处消失的费米面截面。此外，我们发现 Kohler 规则的违背允许对观察到的量子磁电阻效应的温度演化有独特的洞察。
引用
@article{arxiv.1501.00413,
title = {Transport Signatures of Fermi Surface Topology Change in BiTeI},
author = {Linda Ye and Joseph G. Checkelsky and Fumitaka Kagawa and Yoshinori Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.00413},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures