Pd$_{3}$Bi$_{2}$Se$_{2}$ 中二维 Dirac 费米子的反常磁输运

Pd$_{3}$Bi$_{2}$Se$_{2}$ 被提出具有拓扑非平庸性质。然而，其非平庸行为的证据仍未被探索。我们报道了 Pd$_{3}$Bi$_{2}$Se$_{2}$ 薄膜的生长与磁输运研究，首次揭示了二维（2D）拓扑表面态的贡献。我们观察到非凡的非饱和线性磁电阻，其源于量子极限下占据最低朗道能级的 Dirac 费米子。横向磁电阻在临界场 $B^{\star}$ 处从半经典弱场 $B^{2}$ 依赖转变为高场 $B$ 依赖。发现 $B^{\star} \propto T^2$，这可由线性能带色散的朗道能级分裂所预期。此外，磁电导显示出 2D 弱反局域化（WAL）的特征。这些新颖的磁输运特征证明了 Pd$_{3}$Bi$_{2}$Se$_{2}$ 薄膜中二维 Dirac 费米子的存在。