作为表面狄拉克费米子指纹的 Sondheimer 振荡
强关联电子
2015-05-28 v1 材料科学
摘要
物质的拓扑态挑战了对称性破缺的范式，其特征是无能隙的边界模式，并受到基态拓扑性质的保护。最近，角分辨光电子能谱（ARPES）揭示了 BiSe 和 BiTe 半导体属于这类材料。在此，我们通过 BiTe 中的输运测量，为无能隙表面狄拉克费米子的存在提供了无可争议的证据。我们在磁阻（MR）中观测到了 Sondheimer 振荡。这种振荡源于电子被限制在表面层内而导致的运动量子化。基于 Sondheimer 的输运理论，我们从振荡数据中确定了表面态的厚度。此外，我们揭示了表面态的拓扑本质，一致地拟合了磁阻的非振荡部分和霍尔电阻。在霍尔电阻中，侧跳（side-jump）贡献在约 1 T 时占主导地位，而贝里曲率效应在 3 T 至 4 T 时占主导地位。
引用
@article{arxiv.1105.0731,
title = {Sondheimer Oscillation as a Fingerprint of Surface Dirac Fermions},
author = {Heon-Jung Kim and Ki-Seok Kim and Mun Dae Kim and S. -J. Lee and J. -W. Han and A. Ohnishi and M. Kitaura and M. Sasaki and A. Kondo and K. Kindo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.0731},
year = {2015}
}