Bi2Te3 金属单晶中存在拓扑表面态的证据
强关联电子
2015-06-22 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
Bi2Te3 是一类被称为拓扑绝缘体的新材料的成员，这类材料被认为在体相中是绝缘的而在表面是导电的。然而，由于体相导电，在电输运测量中验证表面态一直十分困难。我们报告了对 Bi2Te3 单晶样品的低温磁输运测量。我们在样品中观察到了金属特性，以及在 1.5 K 到 290 K 范围内显著且线性的磁阻，并伴有突出的 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡，其迹线持续至 20 K。尽管我们的样品是金属性的，但我们仍获得了接近值的 Berry 相位，这是拓扑表面态的 Dirac 费米子所预期的值。这表明我们可能已在 Bi2Te3 金属单晶中获得了拓扑表面态存在的证据。从 SdH 振荡分析中获得的其他物理量也与报道的拓扑表面态结果非常吻合。在我们样品中观察到的线性磁阻被认为是表面态 Dirac 费米子的特征，这进一步佐证了拓扑表面态的存在。
引用
@article{arxiv.1409.1356,
title = {Evidence for topological surface states in metallic single crystals of Bi2Te3},
author = {Sourabh Barua and K. P. Rajeev and Anjan K. Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.1356},
year = {2015}
}