拓扑绝缘体 Bi2Te2Se 中的大体电阻率与表面量子振荡
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
拓扑绝缘体被预测会呈现新颖的表面输运现象，但其实验研究一直受到金属性体态电导的阻碍，该电导掩盖了表面输运。我们展示了一种新型拓扑绝缘体 Bi2Te2Se，它具有超过 1 欧姆·厘米的高电阻率和变程跳跃行为，同时却呈现出源自表面狄拉克费米子的舒布尼科夫-德哈斯振荡。此外，我们已能够厘清体态和表面输运通道，从而建立对该材料输运性质的全面理解。我们的结果表明，Bi2Te2Se 是迄今为止研究拓扑绝缘体表面量子输运的最佳材料。
引用
@article{arxiv.1011.2846,
title = {Large bulk resistivity and surface quantum oscillations in the topological insulator Bi2Te2Se},
author = {Zhi Ren and A. A. Taskin and Satoshi Sasaki and Kouji Segawa and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.2846},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures