金属型 Sb2Te2Se 拓扑绝缘体中的量子振荡
介观与纳米尺度物理
2017-02-08 v1 材料科学
摘要
我们研究了金属型 p 型拓扑绝缘体 Sb2Te2Se 的磁输运性质。磁阻在 B=15 T 以上的磁场中显示出 Shubnikov de Haas 振荡。在不同倾角下测得的振荡极大值/极小值位置相对于 B 方向与场的法向分量 Bcosine 对齐，这意味着 Sb2Te2Se 中存在二维费米面。从 Landau 能级扇形图确定的 Berry 相位值非常接近 0.5，进一步表明这些振荡源于拓扑表面态。通过 Lifshitz-Kosevich 分析，发现费米能级位于 EF =250 meV，在 Dirac 点之上。该 EF 值几乎是我们先前对 Bi2Se2:1Te0:9 拓扑绝缘体研究中数值的 3 倍；然而，它仍然触及体价带的顶端。这解释了 Sb2Te2Se 化合物中的金属行为和类空穴体电荷载流子。
引用
@article{arxiv.1701.01277,
title = {Quantum oscillations in metallic Sb2Te2Se topological insulator},
author = {K. Shrestha and V. Marinova and D. Graf and B. Lorenz and C. W. Chu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.01277},
year = {2017}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. B