Sb$_2$Se$_2$Te单晶的大磁电阻与费米面研究

K. Shrestha; V. Marinova; D. Graf; B. Lorenz; C. W. Chu

doi:10.1063/1.4998575

Sb$_2$Se$_2$Te单晶的大磁电阻与费米面研究

介观与纳米尺度物理 2017-09-27 v3

作者: K. Shrestha , V. Marinova , D. Graf , B. Lorenz , C. W. Chu

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摘要

我们研究了Sb $_2$ Se $_2$ Te单晶的磁输运性质。当磁场垂直于样品表面时磁电阻（MR）最大，在 $B$ =31 T时达到1100\%且无饱和迹象。MR在 $B$ =15 T以上显示出舒布尼科夫-德哈斯（SdH）振荡。SdH振荡的频谱在 $\alpha$ =32 T、 $\beta$ =80 T和 $\gamma$ =117 T处由三个不同的峰组成，表明存在三个费米面口袋。在这些频率中， $\beta$ 是在样品相对于磁场不同倾斜角度测量的SdH振荡频谱中的主要峰。从 $\beta$ 的角度依赖性和贝里相位计算，我们确认了 $\beta$ -口袋的平庸拓扑。利用Lifshitz-Kosevich公式得到的载流子回旋质量分别为 $\beta$ 带的 $m^{*}_{\beta}=0.16m_o$ 和 $\gamma$ 带的 $m^{*}_{\gamma}=0.63m_o$ 。Sb $_2$ Se $_2$ Te的大MR适用于电子仪器如计算机硬盘、高场磁传感器和存储器件。

关键词

磁电阻费米面 Sb2Se2Te 舒布尼科夫-德哈斯振荡贝里相位平庸拓扑回旋质量

引用

@article{arxiv.1704.02682,
  title  = {Large magnetoresistance and Fermi surface study of Sb$_2$Se$_2$Te single crystal},
  author = {K. Shrestha and V. Marinova and D. Graf and B. Lorenz and C. W. Chu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1704.02682},
  year   = {2017}
}

备注

http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4998575

Sb$_2$Se$_2$Te单晶的大磁电阻与费米面研究

摘要

关键词

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