1T`-MoTe2 单晶：一种可能的拓扑超导体
强关联电子
2016-09-21 v1 材料科学
超导电性
摘要
我们在高达33 T的磁场下测量了1T`-MoTe2单晶的磁电阻(MR)性质。通过分析低温下磁电阻的Shubnikov de Haas振荡，揭示了单个费米面。从纵向电阻的强振荡分量{\Delta}Rxx，获得了朗道指数n对1/B的线性依赖关系。朗道指数图的截距在3/8和1/2之间。这清楚地揭示了非平凡的{\pi} Berry相位，这是Dirac费米子的显著特征。伴随着在TC=0.1 K观察到的超导性，1T`-MoTe2可能是一个有前景的拓扑超导体候选材料。
引用
@article{arxiv.1602.01549,
title = {1T`-MoTe2 single crystal: a possible topological superconductor},
author = {X. Luo and F. C. Chen and J. L. Zhang and Q. L. Pei and G. T. Lin and W. J. Lu and Y. Y. Han and C. Y. Xi and W. H. Song and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.01549},
year = {2016}
}