Dirac 半导体 PdTe 中的多 gap 超导性及其拓扑性
超导电性
2024-08-14 v1
摘要
最近的研究表明，PdTe 是一种具有潜在非常规超导性的Dirac 半导体，基于ARPES测量得出。这项研究对高品质PdTe单晶进行电气传输和磁化测量。在不同应用磁场下的电导率随温度数据显示，对于平行于(a-b)面 (B_{II}^{ab}) 和垂直于(c轴) (B_{II}^c) 的磁场方向，观察到对称性较大的上临界磁场。从电导率数据提取的磁场-温度 (H-T) 相图呈现出向上弯曲，类似于若干多 gap 超导体。此外，磁化测量显示在B_{II}^{ab}和B_{II}^c方向上都存在de Haas-Van Alphen (dHvA) 振荡。通过量子振荡的傅里叶分析，识别出两个费米洞。对于小费米洞，泰勒森子图确认其具有非平凡的Berry相 ，表明PdTe具有Dirac特性。基于量子振荡数据，构建了合理的能带图。
引用
@article{arxiv.2408.06424,
title = {Multigap superconductivity with non-trivial topology in a Dirac semimetal PdTe},
author = {Amit Vashist and Bibek Ranjan Satapathy and Harsha Silotia and Yogesh Singh and S. Chakraverty},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.06424},
year = {2024}
}