HfTe2 中的 Shubnikov-de Haas 振荡与平面霍尔效应
其他凝聚态物理
2025-08-28 v2 材料科学
强关联电子
摘要
层状过渡金属二硫族化物 (TMD) HfTe2 是一种拓扑半金属候选者，近期受到越来越多的关注。绘制费米面对于理解其性质具有重要意义。在此，我们展示了对 HfTe2 中 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡和平面霍尔效应 (PHE) 的研究。通过助熔剂法生长的单晶在 14 T 和 2 K 下表现出最大的未饱和磁阻 (MR) 效应，达 1.1*104 %。角分辨 SdH 振荡揭示，费米面由三个具有不同各向异性的口袋组成。此外，我们在宽温度范围内观察到该材料中的 PHE 和各向异性 MR (AMR) 效应。我们量化了该系统中的有效质量、载流子密度和量子输迁移率，并讨论了 Berry 相。我们的工作为该半金属的电子结构和费米面提供了重要见解。
引用
@article{arxiv.2508.18956,
title = {Shubnikov-de Haas oscillations and planar Hall effect in HfTe2},
author = {Qixuan Li and Gangjian Jin and Nannan Tang and Bin Wang and Bing Shen and Donghui Guo and Dingyong Zhong and Huakun Zuo and Huichao Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.18956},
year = {2025}
}