SnTe中因菱方畸变引起的费米面拓扑变化
强关联电子
2020-10-28 v1
摘要
化学计量比SnTe在理论上是一种小带隙半导体，在冷却时会发生铁电畸变。然而实际上，晶体总是非化学计量比且呈金属性；因此铁电转变更准确地被描述为一种极性结构转变。本文利用量子振荡作为压力的函数来研究费米面。我们发现振荡谱在高压下发生变化，这是由于极性转变被抑制，且低于10 kbar就足以稳定未畸变的立方晶格。这伴随着霍尔效应和电阻率的显著下降。结合我们的密度泛函理论(DFT)计算和角分辨光电子能谱(ARPES)测量，这表明费米面口袋的迁移率低于连接它们的管状费米面。我们的DFT计算还捕捉到了极性相中带隙的轻微变宽以及态密度的偏移。此外，我们发现了一种不寻常的线性磁阻现象，该现象无论是否存在畸变都存在，我们将其归因于费米面中高曲率区域。
引用
@article{arxiv.2008.09399,
title = {Changes of Fermi Surface Topology due to the Rhombohedral Distortion in SnTe},
author = {Christopher D. O'Neill and Oliver J. Clark and Harry D. J. Keen and Federico Mazzola and Igor Marković and Dmitry A. Sokolov and Andreas Malekos and Phil D. C. King and Andreas Hermann and Andrew D. Huxley},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.09399},
year = {2020}
}
备注
8 pages, 5 figures