光电子能谱研究SnTe的能带结构
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
我们展示了对SnTe电子结构的角分辨光电子能谱研究，并将实验结果与从头算能带计算以及简化的p带紧束缚模型进行了比较。我们的研究揭示了在L点附近推测出的复杂费米面结构，随着结合能的增加，能带从孤立口袋到开放管状再到长方体发生拓扑变化，解决了关于电子结构的遗留问题。发现晶体表面的化学势位于带隙下方0.5 eV处，对应的载流子密度为p = 1.14×10^{21} cm^{-3}，即每个晶胞有7.2×10^{-2}个空穴。在低于立方-菱方结构转变的温度下，价带的光谱能量出现微小偏移，这与模型预测一致。
引用
@article{arxiv.1008.4148,
title = {Band structure of SnTe studied by Photoemission Spectroscopy},
author = {P. B. Littlewood and B. Mihaila and R. K. Schulze and D. J. Safarik and J. E. Gubernatis and A. Bostwick and E. Rotenberg and C. P. Opeil and T. Durakiewicz and J. L. Smith and J. C. Lashley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.4148},
year = {2015}
}
备注
4 figures