单晶 SrAg4As2 中结构畸变相关的电子行为显著变化
强关联电子
2018-12-19 v2
摘要
我们报道了层状磷属化物材料 SrAg4As2 的输运与热力学测量的联合研究。降温时，在约 110 K 附近观察到电阻与霍尔电阻率下降、热容跳变以及磁化率与磁电阻（MR）升高。这些观察表明在约 110 K 出现了非磁性相变，其可能与结构畸变相关。与基于室温晶体结构的首原理计算形成鲜明对比，量子振荡揭示了具有轻有效质量的小费米口袋，表明低温结构畸变引起了费米面拓扑的显著变化。SrAgAs 在低至 2 K 与高达 2.13 GPa 的压强下均未出现超导；相反，低温结构畸变在 0.89 GPa 以上以约 13 K/GPa 的速率随温度线性增加。
引用
@article{arxiv.1808.05309,
title = {Significant change in the electronic behavior associated with structural distortions in the single crystalline SrAg4As2},
author = {Bing Shen and Eve Emmanouilidou and Xiaoyu Deng and Alix McCollam and Jie Xing and Gabriel Kotliar and Amalia I. Coldea and Ni Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05309},
year = {2018}
}