利用 Shubnikov-de Haas 效应探测 Bi2Se3 中的表面态

M. Petrushevsky; E. Lahoud; A. Ron; E. Maniv; I. Diamant; I. Neder; S. Wiedmann; V. K. Guduru; F. Chiappini; U. Zeitler; J. C. Maan; K. Chashka; A. Kanigel; Y. Dagan

doi:10.1103/PhysRevB.86.045131

利用 Shubnikov-de Haas 效应探测 Bi2Se3 中的表面态

介观与纳米尺度物理 2016-03-10 v4 强关联电子

作者: M. Petrushevsky , E. Lahoud , A. Ron , E. Maniv , I. Diamant , I. Neder , S. Wiedmann , V. K. Guduru , F. Chiappini , U. Zeitler , J. C. Maan , K. Chashka , A. Kanigel , Y. Dagan

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摘要

在高载流子浓度和低体迁移率的 Bi2Se3 薄片中观测到 Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡。这些振荡探测了受保护的表面态，使我们能够提取其载流子浓度、有效质量和 Dingle 温度。所得费米动量与同一批次晶体的角分辨光电子能谱（ARPES）测量结果一致。我们研究了 Berry 相位随磁场变化的行为。标准理论考量无法解释所观测到的行为。

关键词

Shubnikov-de Haas 效应 Bi2Se3 表面态拓扑绝缘体 Berry 相位角分辨光电子能谱

引用

@article{arxiv.1106.3747,
  title  = {Probing the surface states in Bi2Se3 using the Shubnikov-de Haas effect},
  author = {M. Petrushevsky and E. Lahoud and A. Ron and E. Maniv and I. Diamant and I. Neder and S. Wiedmann and V. K. Guduru and F. Chiappini and U. Zeitler and J. C. Maan and K. Chashka and A. Kanigel and Y. Dagan},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1106.3747},
  year   = {2016}
}

备注

6 pages, 8 figures. Accepted to Physical Review B

利用 Shubnikov-de Haas 效应探测 Bi2Se3 中的表面态

摘要

关键词

引用

备注

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