拓扑绝缘体中霍尔振荡与SdH振荡的π相位差及非平庸贝里相位
介观与纳米尺度物理
2020-01-28 v1
摘要
量子振荡是通过电输运探测拓扑绝缘体（TI）表面态的重要手段，因为Shubnikov-de Haas（SdH）振荡可提取贝里相位，而贝里相位是探测拓扑表面态的关键判据。此处我们提取了掺1% Sn的强拓扑绝缘体的非平庸贝里相位。我们也观测到霍尔电阻中的振荡，并表明这既非源于SdH对霍尔数据的支配，亦非量子霍尔效应的前兆，而是源于费米能级钉扎。此外，霍尔振荡与SdH振荡具有精确的180°相位差，且该相移与磁场强度无关。我们认为这一反常现象源于朗道能级内散射相对于朗道能级间散射的主导地位，并依赖于散射势的强度。因此，我们的工作为通过量子振荡理解散射物理铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2001.09294,
title = {$\pi$ phase difference between Hall oscillation and SdH oscillation and non trivial Berry Phase in a topological insulator},
author = {Debarghya Mallick and Shoubhik Mandal and R. Ganesan and P. S. Anil Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.09294},
year = {2020}
}
备注
7 pages including 5 figures; comments welcome