空穴掺杂量子阱中费米面附近的拓扑量子相变与 Berry 相位
介观与纳米尺度物理
2007-08-09 v1
摘要
我们提出了一种在具有体反演不对称性和结构反演不对称性的空穴掺杂 III-V 族半导体量子阱中，具有不同 Berry 相位的量子态之间的拓扑量子相变。占据 Bloch 态的 Berry 相位可以作为拓扑金属态的特征。研究发现，调节量子阱的厚度可能导致二维空穴气中 Berry 相位的转变。相应地，自旋霍尔电导的跃变伴随着 Berry 相位的变化。这一性质对系统中的杂质势具有鲁棒性。文中讨论了该拓扑量子相变的实验探测方案。
引用
@article{arxiv.0705.3728,
title = {Topological quantum phase transition and the Berry phase near the Fermi surface in hole-doped quantum wells},
author = {Bin Zhou and Chao-Xing Liu and Shun-Qing Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0705.3728},
year = {2007}
}