III-V 族半导体量子点中 Berry 相位的门控调控

半导体量子点 (QDs) 中的 Berry 相位可以通过在横向施加畸变势，使量子点在闭合回路中绝热移动而诱导产生。我们表明，Berry 相位对源于 Rashba 和 Dresselhaus 自旋 - 轨道耦合相互作用的电场高度敏感。我们报告指出，累积的 Berry 相位可以由仅相差一个量子数的同一自旋态的其他可用量子态诱导产生。由于 Bloch 波函数穿透势垒材料导致的 g 因子符号变化可以在 Berry 相位中反映出来。我们求解了含时 Schr$\mathrm{\ddot{o}}$dinger 方程，并研究了量子点在二维平面绝热移动过程中自旋动力学的演化。我们的结果可能为构建拓扑量子点量子计算机开辟可能性，在该计算机中，Berry 相位可以被设计，并通过门控电场施加自旋 - 轨道耦合进行操控。