三维拓扑绝缘体中拓扑表面态与体电导的独立性
强关联电子
2018-11-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
典型的 3D 拓扑绝缘体 Bi2Se3、Bi2Te3 和 Sb2Te3 通常表现出高体电导率，阻碍了对表面态电荷输运的表征。然而，最优掺杂的拓扑绝缘体 Bi2Te2Se 和 Bi2-xSbxTe2S 使得此类表征得以进行。在此，我们基于温度依赖的高压测量，报道了 Bi2Te2Se 和 Bi1.1Sb0.9Te2S 的拓扑表面态与体电导的首次实验比较。我们发现，在体态电导增加数个量级的情况下，低温下的表面态电导保持恒定，这直接揭示出拓扑表面态与体态在低温下是退耦的，与理论模型一致，并确认拓扑绝缘体是研究 2D 狄拉克电子系统电荷输运的绝佳平台。
引用
@article{arxiv.1807.02000,
title = {Independence of topological surface state and bulk conductances in three-dimensional topological insulators},
author = {Shu Cai and Jing Guo and Vladimir A. Sidorov and Yazhou Zhou and Honghong Wang and Gongchang Lin and Xiaodong Li and Yanchuan Li and Ke Yang and Aiguo Li and Qi Wu and Jiangping Hu and S. K. Kushwaha and Robert J Cava and Liling Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.02000},
year = {2018}
}
备注
23 pages, 4 figures