Bi基拓扑绝缘体中表面态抑制的光学证据
材料科学
2014-04-04 v1 光学
摘要
凝聚态研究的一个关键挑战是优化拓扑绝缘体（TI）化合物，以研究和应用其独特的表面态。真正绝缘的体态将允许利用预测的表面态性质，如抗背散射保护、无耗散自旋极化电流以及新奇粒子的出现。为此，最近在引入高电阻Bi2Te2Se方面取得了重大进展，在低温下观察到表面态电导和量子振荡。然而，一个未解决的关键问题仍然存在：虽然室温ARPES研究揭示了TI表面态的明确证据，但它们在输运实验中的观察仅限于低温。更好地理解这种表面态在高温下的抑制具有根本意义，对于将器件应用推向室温操作至关重要。在这项工作中，我们通过温度依赖的光学光谱学同时测量TI体态和表面态，并结合输运和ARPES测量。我们发现了低温下相干表面态输运的证据，并提出声子介导的体态与表面态耦合抑制了随温度升高的表面电导。
引用
@article{arxiv.1404.0689,
title = {Optical evidence of surface state suppression in Bi based topological insulators},
author = {Anjan A. Reijnders and Y. Tian and L. J. Sandilands and G. Pohl and I. D. Kivlichan and S. Y. Frank Zhao and S. Jia and M. E. Charles and R. J. Cava and Nasser Alidoust and Suyang Xu and Madhab Neupane and M. Zahid Hasan and X. Wang and S. W. Cheong and K. S. Burch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.0689},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 10 figures