混合价拓扑绝缘体 SmB6 中关联能隙与表面态演化的温度依赖性
强关联电子
2014-03-04 v2
摘要
综合来看，近期的理论、低温 (T) 输运、光电子能谱和量子振荡实验已构建了强有力的证据，表明典型的混合价绝缘体 SmB6 目前是独一无二的三维强关联拓扑绝缘体 (TI)。因此，其多体温度依赖性体能隙为物理图像带来了超越弱关联 TI 材料的额外丰富性。随着温度升高能隙闭合，鲁棒的对称性保护 TI 表面态将如何演化？对于 SmB6，利用这一机遇首先需要解决其他重要的能隙相关问题：其起源、大小、温度依赖性及其在体输运中的作用。在本文中，我们报道了详细的温度依赖角分辨光电子能谱 (ARPES) 测量结果，统一地回答了所有这些问题。
引用
@article{arxiv.1312.6637,
title = {Temperature Dependence of Linked Gap and Surface State Evolution in the Mixed Valent Topological Insulator SmB6},
author = {J. D. Denlinger and J. W. Allen and J. -S. Kang and K. Sun and J. -W. Kim and J. H. Shim and B. I. Min and Dae-Jeong Kim and Z. Fisk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.6637},
year = {2014}
}
备注
30 pages 10 figures; updated references, a few revised discussions