SmB6 中稳健的表面霍尔效应与非局域输运：理想拓扑绝缘体的迹象
强关联电子
2013-10-28 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
拓扑绝缘体 (TI) 是一种奇特的量子态，其绝缘体相在拓扑上区别于真空，从而产生独特的金属表面，该表面对时间反演不变微扰具有鲁棒性。然而，由于杂质引起的体导电，在现有的 TI 晶体（Bi2Se3、Bi2Te3 和 Sb2Te3）中，这些表面输运性质仍难以与体相分离。我们报道了在拓扑近藤绝缘体 (TKI) 候选材料 SmB6 的大晶体中观察到的与厚度无关的表面霍尔效应和非局域输运，这些效应对包括机械磨损在内的微扰具有鲁棒性。这些结果证明，在低温下 SmB6 具有环绕真正绝缘体相的稳健金属表面，为在该提议的 TKI 材料中进行表面态输运研究铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1211.6769,
title = {Robust Surface Hall Effect and Nonlocal Transport in SmB6: Indication for an Ideal Topological Insulator},
author = {D. J. Kim and S. Thomas and T. Grant and J. Botimer and Z. Fisk and Jing Xia},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.6769},
year = {2013}
}