三维拓扑近藤绝缘体

拓扑近藤绝缘体（TKI）是一类新型的对称保护拓扑绝缘体，其通过强关联与自旋轨道相互作用的相互竞争而得以形成。在这些材料中，由于传导电子对局域磁矩的近藤屏蔽，体态成为完美的能带绝缘体。此外，局域磁矩的强自旋轨道耦合（SOC）与晶体场效应（CFE）导致局域磁矩与传导能带之间产生非局域的奇宇称、时间反演不变的杂化，从而创造出具有非平庸拓扑与无隙表面激发的基态（Physical Review Letters 104 (2010) 106408）。在本工作中，我们发展了一种自洽理论，在平均场水平上研究拓扑近藤绝缘体。为此，我们将 Slave-boson 平均场理论应用于具有和不具有周期边界条件的系统，以在块体与 slab 几何构型下研究该系统。这使我们能够通过能带结构与谱函数计算观察到受保护边缘态的清晰特征。