拓扑能带绝缘体的平移侧面
介观与纳米尺度物理
2019-07-29 v1
摘要
自旋轨道耦合材料最近重新引起了突出的研究兴趣，尤其是因为它们与拓扑概念的直接联系。可以说，这一追求的标志是拓扑能带绝缘体 (TBI) 概念的形成。在这些不可压缩系统中，通常由强自旋轨道耦合驱动的能带反转导致了一种状态，只要时间反演对称性得以保持，该状态在拓扑上就不同于普通绝缘体。更广泛地说，由保护对称性产生的拓扑态已在凝聚态议程的实验和理论两方面催生了一个蓬勃发展的研究领域。作为主要特征，拓扑能带绝缘体可以表现出受保护的自旋过滤边缘态，其时间反演不变伙伴在空间上分离于另一边缘。虽然这些边缘态因此被认定与许多奇异物理现象相关，但我们在此希望提供关于体相同样丰富但探索较少的方面的视角。也就是说，我们将聚焦于晶格缺陷（特别是位错）的作用及其与体相拓扑性质的关系。
引用
@article{arxiv.1708.08886,
title = {The translational side of topological band insulators},
author = {Robert-Jan Slager},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.08886},
year = {2019}
}
备注
Perspective on our earlier work, intended for focus issue on spin Spin-Orbit Coupled Materials. 24 pages and 9 figures