压力下BiTeI中非中心对称拓扑绝缘相的出现
材料科学
2012-02-15 v2
摘要
自旋-轨道相互作用以多种方式影响固体的电子结构。拓扑绝缘体即为一例，其中自旋-轨道相互作用导致体能带具有非平庸拓扑，表现为无能隙的表面态或边缘态。另一例为Rashba效应，它是自旋-轨道相互作用在破缺反演对称性下消除电子自旋简并的结果。特别重要的是了解这两种效应——即电子态的非平庸拓扑与Rashba自旋劈裂——如何相互交织。本文通过精细的第一性原理计算表明，BiTeI这一巨型体Rashba半导体在合理压力下转变为拓扑绝缘体。该材料展现出若干独特特征，如高度压力可调的巨型Rashba自旋劈裂、不寻常的压致量子相变，更重要的是在材料两侧形成显著不同的Dirac表面态。
引用
@article{arxiv.1109.5102,
title = {Emergence of non-centrosymmetric topological insulating phase in BiTeI under pressure},
author = {M. S. Bahramy and B. -J. Yang and R. Arita and N. Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.5102},
year = {2012}
}
备注
5 figures are included