拓扑绝缘体Bi2Se3表面的Rashba自旋劈裂调控
强关联电子
2015-05-28 v1
摘要
通过角分辨光电子能谱和密度泛函理论研究了Bi2Se3的电子结构。我们表明，即使在超高真空条件下观察到的表面电子性质不稳定性，也可以通过原位钾沉积来克服。除了精确设定载流子浓度外，还诱导出新的类Rashba自旋极化态，其自旋劈裂可调、可逆且高度稳定。从头算平板计算揭示，这些Rashba态源自5QL量子阱态。虽然K诱导的势梯度增强了自旋劈裂，但由于真空-固体界面的对称性破缺，这种劈裂在原始表面可能已经存在。
引用
@article{arxiv.1106.0552,
title = {Rashba spin-splitting control at the surface of the topological insulator Bi2Se3},
author = {Z. -H. Zhu and G. Levy and B. Ludbrook and C. N. Veenstra and J. A. Rosen and R. Comin and D. Wong and P. Dosanjh and A. Ubaldini and P. Syers and N. P. Butch and J. Paglione and I. S. Elfimov and A. Damascelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.0552},
year = {2015}
}
备注
A high-resolution version can be found at http://www.physics.ubc.ca/~quantmat/ARPES/PUBLICATIONS/Articles/BiSe_K.pdf