应变工程调控下层状半导体表面理想 Rashba 态的形成
材料科学
2015-12-22 v2
摘要
二维电子系统中 Rashba 态的自旋分裂为自旋电子学应用提供了一种有前景的自旋操控机制。然而，迄今实验实现的 Rashba 态常在同一能量范围内被自旋简并的衬底态数量上超过，阻碍了其实用。本文通过密度泛函理论计算表明，在层状半导体表面 beta-InSe(0001) 上沉积 Au 单原子层膜可具有带大自旋分裂的“理想” Rashba 态，其完全位于衬底的大带隙内部。Rashba 能带相对于衬底带边的位置可通过实验上可实现的应变在大范围内调控。此外，我们的非平衡格林函数输运计算显示，当制成 Datta-Das 晶体管器件时，该系统可能产生长期寻求的强电流调制。类似系统可通过其他金属超薄膜和层状半导体衬底来辨识，以实现理想 Rashba 态。
引用
@article{arxiv.1505.05073,
title = {Formation of Ideal Rashba States on Layered Semiconductor Surfaces Steered by Strain Engineering},
author = {Wenmei Ming and Z. F. Wang and Miao Zhou and Mina Yoon and Feng Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05073},
year = {2015}
}
备注
Nano Letters 2015