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关于“旋转自旋与巨大分裂:Tl/Si(111) 未占据表面电子结构”的评论

材料科学 2023-07-04 v2

摘要

由于自旋电子学应用,二维系统中的 Rashba 效应目前被广泛研究。该快报研究了二维系统中自旋轨道相互作用的基本问题。文中声称获得了 Tl/Si 中自旋极化矢量旋转的实验证据:从 Γ\overline{\Gamma} 处的面内 Rashba 极化旋转到 K\overline{K}(K\overline{K}') 谷处的表面法线方向。这些结果之所以可能,得益于单一装置能够测量具有面内和面外灵敏度的自旋分辨反角分布光电子谱(IPES)。本评论澄清:(i)当考虑快报中的完整数据集时,面内极化在谷处并未消失;(ii)该快报未说明面外数据并非真实测量值,因为它们是通过考虑某一理论对称性的满足或经由未明确的数据处理而推导得出的。

关键词

引用

@article{arxiv.2303.12442,
  title  = {Comment on "Rotating Spin and Giant Splitting: Unoccupied Surface Electronic Structure of Tl/Si(111)"},
  author = {Abraham F. Campos and Kang Wang and Antonio Tejeda},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2303.12442},
  year   = {2023}
}

备注

Submitted to Phys. Rev. Lett