具有非Rashba自旋轨道相互作用的表面中非传统自旋态的理论
介观与纳米尺度物理
2015-07-01 v2
摘要
Tl/Si(111)和Bi/Si(111)中的表面态表现出非Rashba型自旋分裂。我们研究了这些表面态中的自旋输运性质。首先，我们构建了尊重晶体学对称性的Tl/Si和Bi/Si表面的紧束缚哈密顿量。结果，我们在Tl/Si表面哈密顿量中找到了导致非Rashba自旋分裂的特定项。利用该模型，我们计算了Tl/Si哈密顿量中的电流诱导自旋极化，以观察非Rashba自旋轨道相互作用的效应。我们发现诱导的自旋极化位于面内且垂直于电流，因此与Rashba系统相同。我们发现这源于晶体学对称性。此外，我们在数值上发现了在Bi/Si系统和Tl/Si系统中自旋轨道相互作用参数符号不同的两个表面区域之间的结处的束缚态。我们用解析计算的结果解释了这些数值结果。
引用
@article{arxiv.1504.07401,
title = {Theory of Unconventional Spin States in Surfaces with Non-Rashba Spin-Orbit Interaction},
author = {Kokin Nakajin and Shuichi Murakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.07401},
year = {2015}
}
备注
Latex, 9 pages with 10 figures