Bi2Se3 中二维电子气的可调大 Rashba 自旋分裂
材料科学
2011-08-29 v2 介观与纳米尺度物理
量子气体
摘要
我们通过角分辨光电子能谱报告了拓扑绝缘体 BiSe 中二维电子气的 Rashba 自旋分裂。我们进一步展示了其静电控制，并表明可以实现比其他半导体至少大一个数量级的自旋分裂。这些结果共同显示了将自旋电子器件微型化至纳米尺度并在室温下运行的潜力。
引用
@article{arxiv.1103.3220,
title = {Large tuneable Rashba spin splitting of a two-dimensional electron gas in Bi2Se3},
author = {P. D. C. King and R. C. Hatch and M. Bianchi and R. Ovsyannikov and C. Lupulescu and G. Landolt and B. Slomski and J. H. Dil and D. Guan and J. L. Mi and E. D. L. Rienks and J. Fink and A. Lindblad and S. Svensson and S. Bao and G. Balakrishnan and B. B. Iversen and J. Osterwalder and W. Eberhardt and F. Baumberger and Ph. Hofmann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.3220},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 4 figures. Substantially revised