BiTeI 拉什巴自旋分裂半导体的温度依赖红外光谱研究
材料科学
2012-09-11 v1
摘要
我们对表现出巨大拉什巴（Rashba）自旋分裂的 BiTeI 单晶进行了温度依赖红外光谱测量。与先前的光学研究类似，我们发现的电子激发与自旋分裂电子能带非常吻合。此外，我们报道了一种起始能量约为 40 meV 的低能带内跃迁，以及在远红外光谱区域意外大量的振动模式。其中至少部分模式具有不对称的 Fano 线型。仅考虑 BiTeI 的体能带结构或晶体对称性无法解释这些新观测结果，我们提出其光学响应也受到表面拓扑的影响。
引用
@article{arxiv.1209.1656,
title = {Temperature dependent infrared spectroscopy of the Rashba spin-splitting semiconductor BiTeI},
author = {C. Martin and K. H. Miller and S. Buvaev and H. Berger and X. S. Xu and A. F. Hebard and D. B. Tanner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.1656},
year = {2012}
}