非磁性半导体BiTeI中由体Rashba自旋分裂驱动的巨磁光响应
强关联电子
2015-06-05 v1
摘要
我们研究了具有巨大体Rashba自旋分裂的极性半导体BiTeI在不同载流子密度下的磁光（MO）响应。尽管该材料是非磁性的，但在中等磁场（<3 T）下，它在红外区域表现出巨大的磁光活性。通过与第一性原理计算比较，我们表明这种增强的磁光响应主要源于BiTeI中Rashba分裂体导带之间的带内跃迁，这产生了明显的新特征和磁光谱的系统掺杂依赖性。我们进一步预测，在导带的交叉（狄拉克）点附近，低能磁光响应和直流霍尔效应会有更显著的增强。
引用
@article{arxiv.1205.4116,
title = {Giant magneto-optical response in non-magnetic semiconductor BiTeI driven by bulk Rashba spin splitting},
author = {L. Demkó and G. A. H. Schober and V. Kocsis and M. S. Bahramy and H. Murakawa and J. S. Lee and I. Kézsmárki and R. Arita and N. Nagaosa and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.4116},
year = {2015}
}