非对称层间相互作用下 BiTeI 中巨 Rashba 分裂的增强
介观与纳米尺度物理
2020-03-05 v1
摘要
我们通过修改层间相互作用来增强 BiTeI 的 Rashba 自旋分裂（RSS），并进行了密度泛函理论计算。结果表明，随着 Te 层靠近相邻的 Bi 层或 I 层远离 Bi 层，RSS 增大。我们的结果表明，通过在 Te 位引入空位以缩短有效 Bi-Te 距离，RSS 可被灵敏地增强。还发现当 RSS 沿晶体动量发展时，两条自旋分裂能带间 Te 的 p 轨道特征差异增大，这支持了自旋分裂能带中的非对称层间相互作用。我们的工作表明，修改层间相互作用是在 BiTeI 及其他层状材料中对 RSS 进行建模的一种有效途径。
引用
@article{arxiv.2003.01915,
title = {Enhancement of Giant Rashba Splitting in BiTeI under Asymmetric Interlayer Interaction},
author = {Taesu Park and Jisook Hong and Ji Hoon Shim},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.01915},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 5 figures