BiTeI中Rashba能量的纳米尺度变化
介观与纳米尺度物理
2024-04-01 v2 材料科学
摘要
BiTeI是一种极性半导体，具有强自旋-轨道耦合，产生大的Rashba自旋分裂。由于其潜在的自旋电子学和磁电应用，理解缺陷如何影响该材料中的自旋输运至关重要。利用扫描隧道显微镜和光谱学，我们成像了BiTeI碘表面上单原子缺陷的环状充电态。我们观察到每个缺陷周围Rashba能量的纳米尺度变化，并将其与从每个环半径的偏压依赖性中提取的局域电场相关联。我们的数据证明了原子缺陷对Rashba效应的局部影响，这对未来纳米尺度自旋电子器件的发展既是挑战也是机遇。
引用
@article{arxiv.2402.18779,
title = {Nanoscale variation of the Rashba energy in BiTeI},
author = {Ruizhe Kang and Jian-Feng Ge and Yang He and Zhihuai Zhu and Daniel T. Larson and Mohammed Saghir and Jason D. Hoffman and Geetha Balakrishnan and Jennifer E. Hoffman},
journal= {arXiv preprint arXiv:2402.18779},
year = {2024}
}