半导体纳米线中的弹道自旋极化输运与 Rashba 自旋进动
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
我们计算了存在自旋轨道 (Rashba) 相互作用时准一维导线的弹道自旋输运特性。使用了模拟 Rashba 效应的 Rashba Hamiltonian 的紧束缚类比。通过改变 Rashba 耦合的强度和导线的宽度，确定了弱耦合和强耦合状态。对于前者，无论入射 Fermi 能量和模式数如何，均发现了完美的电子自旋调制。然而在后者中，由于强 Rashba 耦合诱导的非平庸子带混合，自旋电导表现出强烈的能量依赖性。这意味着在较高温度和源漏电压下，自旋调制会受到强烈抑制。该结果可能与准一维自旋晶体管器件的实现有关。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0105049,
title = {Ballistic spin-polarized transport and Rashba spin precession in semiconductor nanowires},
author = {Francisco Mireles and George Kirczenow},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0105049},
year = {2009}
}
备注
19 pages (incl. 9 figures). To be published in PRB