增强轨道抗磁性与顺磁性的机制：在 Rashba 半导体 BiTeI 中的应用
材料科学
2012-09-03 v2
摘要
我们从理论和实验两方面研究了具有巨 Rashba 自旋劈裂的层状半导体 BiTeI 的磁化率，以探索其轨道磁性。除了核心贡献外，当费米能量 E_F 接近导带交叉点时，观察到大的温度依赖性抗磁磁化率，而当 E_F 远离该点时，磁化率转变为顺磁性。这些特征与第一性原理计算一致，计算还预测了由于能带（反）交叉，作为 E_F 的函数，轨道磁化率会增强，并同时出现正负号。基于这些观察，我们提出了两种增强顺磁轨道磁化率的机制。
引用
@article{arxiv.1111.5800,
title = {Mechanisms of enhanced orbital dia- and paramagnetism: Application to the Rashba semiconductor BiTeI},
author = {G. A. H. Schober and H. Murakawa and M. S. Bahramy and R. Arita and Y. Kaneko and Y. Tokura and N. Nagaosa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.5800},
year = {2012}
}
备注
4 figures; added references