半导体 BiTeI 中的巨型双极 Rashba 效应
材料科学
2014-08-05 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们在非中心对称半导体 BiTeI 的体态和表面态中观察到了巨大的自旋轨道劈裂。我们证明，通过控制表面端面，可以将费米能级置于价带或导带中。在这两种情况下，费米能级都与相应的表面耗尽层和积累层中的自旋极化能带相交。这些能带的动量劈裂不受吸附质引起的表面势变化的影响。这些发现表明，对于实现基于半导体的自旋电子学至关重要的两个特性——巨大且稳定的自旋劈裂与双极传导——均存在于该材料中。
引用
@article{arxiv.1205.1395,
title = {Giant ambipolar Rashba effect in a semiconductor: BiTeI},
author = {A. Crepaldi and L. Moreschini and G. Autès and C. Tournier-Colletta and S. Moser and N. Virk and H. Berger and Ph. Bugnon and Y. J. Chang and K. Kern and A. Bostwick and E. Rotenberg and O. V. Yazyev and M. Grioni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.1395},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 3 figures