BiTeI 表面 Rashba $p$-$n$ 结的原子与电子结构
介观与纳米尺度物理
2014-02-06 v1 材料科学
摘要
非中心对称半导体 BiTeI 表现出两种不同的表面终止，支持自旋分裂的 Rashba 表面态。利用其双极性，可以在具有不同表面终止的域边界处构建自旋极化的 - 结。我们使用扫描隧道显微镜/谱 (STM/STS) 来定位此类结并研究其原子和电子性质。Te 终止和 I 终止表面因其独特的化学反应性以及电子起源的表观高度失配而被识别出来。Rashba 表面态在 STS 谱中通过带边处 van Hove 奇点的出现而显现。最终，在界面 Te 原子上发现了电子耗尽，这与典型 - 结中空间电荷区的形成一致。
引用
@article{arxiv.1401.6005,
title = {Atomic and Electronic Structure of a Rashba $p$-$n$ Junction at the BiTeI Surface},
author = {C. Tournier-Colletta and G. Autès and B. Kierren and Ph. Bugnon and H. Berger and Y. Fagot-Revurat and O. V. Yazyev and M. Grioni and D. Malterre},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.6005},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures